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以下是:黑龍江大興安嶺XRNT1-10/50A高壓限流熔斷器合格證的圖文介紹
一般定義熔體的小熔斷電流與熔體的額定電流之比為小熔化系數,常用熔體的熔化系數大于1.25,也就是說額定電流為10A的熔體在電流12.5A以下時不會熔斷。從這里可以看出,熔斷器的短路保護性能,過載保護性能一般。如確需在過載保護中使用,需要仔細匹配線路過載電流與熔斷器的額定電流。例如:8A的熔體用于10A的電路中,作短路保護兼作過載保護用,但此時的過載保護特性并不理想。熔斷器的選擇主要依據負載的保護特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對于容量小的電動機和照明支線,常采用熔斷器作為過載及短路保護,因而希望熔體的熔化系數適當小些。通常選用鉛錫合金熔體的RQA系列熔斷器。對于較大容量的電動機和照明干線,則應著重考慮短路保護和分斷能力。通常選用具有較高分斷能力的RM10和RL1系列的熔斷器;當短路電流很大時,宜采用具有限流作用的RT0和RTl2系列的熔斷器熔體的額定電流可按以下方法選擇:1、保護無起動過程的平穩負載如照明線路、電阻、電爐等時,熔體額定電流略大于或等于負荷電路中的額定電流。2、保護單臺長期工作的電機熔體電流可按大起動電流選取,也可按下式選取:IRN≥(1.5 ~2.5)IN式中IRN——熔體額定電流;IN——電動機額定電流。如果電動機頻繁起動,式中系數可適當加大至3~3.5,具體應根據實際情況而定。3、保護多臺長期工作的電機(供電干線)IRN≥(1.5~2.5)INmax+ΣININmax-容量大單臺電機的額定電流。ΣIN其余.電動機額定電流之和。主要分類熔斷器根據使用電壓可分為高壓熔斷器和低壓熔斷器。熔斷器(圖8)熔斷器(圖8)根據保護對象可分為保護變壓器用和一般電氣設備用的熔斷器、保護電壓互感器的熔斷器、保護電力電容器的熔斷器、保護半導體元件的熔斷器、保護電動機的熔斷器和保護家用電器的熔斷器等。根據結構可分為敞開式、半封閉式、管式和噴射式熔斷器。敞開式熔斷器結構簡單,熔體完全暴露于空氣中,由瓷柱作支撐,沒有支座,適于低壓戶外使用。
熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金,其熔點低容易熔斷,由于其電阻率較大,故制成熔體的截面尺寸較大,熔斷時產生的金屬蒸氣較多,只適用于低分斷能力的熔斷器。高熔點材料如銅、銀,其熔點高,不容易熔
斷,但由于其電阻率較低,可制成比低熔點熔體較小的截面尺寸,熔斷時產生的金屬蒸氣少,適用于高分斷能力的熔斷器。熔體的形狀分為絲狀和帶狀兩種。改變變截面的形狀可顯著改變熔斷器的熔斷特性。熔斷器有各種不同的熔斷特性曲線,可以適用于不同類型保護對象的需要。安秒特性:熔斷器的動作是靠熔體的熔斷來實現的,熔斷器有個非常明顯的特性,就是安秒特性。對熔體來說,其動作電流和動作時間特性即熔斷器的安秒特性,也叫反時延
特性,即:過載電流小時,熔斷時間長;過載電流大時,熔斷熔斷器(圖6)熔斷器(圖6)時間短。對安秒特性的理解,我們從焦耳定律上可以看到Q=I2*R*T,串聯回路里,熔斷器的R值基本不變,發熱量與電流I的平方成正比,與發熱時間T成正比,也就是說:當電流較大時,熔體熔斷所需的時間就較短。而電流較小時,熔體熔斷所需用的時間就較長,甚至如果熱量積累的速度小于熱擴散的速度,熔斷器溫度就不會上升到熔點,熔斷器甚
至不會熔斷。所以,在一定過載電流范圍內,當電流恢復正常時,熔斷器不會熔斷,可繼續使用。因此,每一熔體都有一小熔化電流。相應于不同的溫度,小熔化電流也不同。雖然該電流受外界環境的影響,但在實際應用中可以不加考慮。一般定義熔體的小熔斷電流與熔體的額定電流之比為小熔化系數,常用熔體的熔化系數大于1.25,也就是說額定電流為10A的熔體在電流12.5A以下時不會熔斷。從這里可以看出,熔斷器的短路保
護性能,過載保護性能一般。如確需在過載保護中使用,需要仔細匹配線路過載電流與熔斷器的額定電流。例如:8A的熔體用于10A的電路中,作短路保護兼作過載保護用,但此時的過載保護特性并不理想。
斷,但由于其電阻率較低,可制成比低熔點熔體較小的截面尺寸,熔斷時產生的金屬蒸氣少,適用于高分斷能力的熔斷器。熔體的形狀分為絲狀和帶狀兩種。改變變截面的形狀可顯著改變熔斷器的熔斷特性。熔斷器有各種不同的熔斷特性曲線,可以適用于不同類型保護對象的需要。安秒特性:熔斷器的動作是靠熔體的熔斷來實現的,熔斷器有個非常明顯的特性,就是安秒特性。對熔體來說,其動作電流和動作時間特性即熔斷器的安秒特性,也叫反時延
特性,即:過載電流小時,熔斷時間長;過載電流大時,熔斷熔斷器(圖6)熔斷器(圖6)時間短。對安秒特性的理解,我們從焦耳定律上可以看到Q=I2*R*T,串聯回路里,熔斷器的R值基本不變,發熱量與電流I的平方成正比,與發熱時間T成正比,也就是說:當電流較大時,熔體熔斷所需的時間就較短。而電流較小時,熔體熔斷所需用的時間就較長,甚至如果熱量積累的速度小于熱擴散的速度,熔斷器溫度就不會上升到熔點,熔斷器甚
至不會熔斷。所以,在一定過載電流范圍內,當電流恢復正常時,熔斷器不會熔斷,可繼續使用。因此,每一熔體都有一小熔化電流。相應于不同的溫度,小熔化電流也不同。雖然該電流受外界環境的影響,但在實際應用中可以不加考慮。一般定義熔體的小熔斷電流與熔體的額定電流之比為小熔化系數,常用熔體的熔化系數大于1.25,也就是說額定電流為10A的熔體在電流12.5A以下時不會熔斷。從這里可以看出,熔斷器的短路保
護性能,過載保護性能一般。如確需在過載保護中使用,需要仔細匹配線路過載電流與熔斷器的額定電流。例如:8A的熔體用于10A的電路中,作短路保護兼作過載保護用,但此時的過載保護特性并不理想。
樊高電氣銷售部(大興安嶺市分公司)服務于全國 【高低壓電器】行業,建立了完善的檢驗體系,并以現代高科技研發為手段,以自主知識產權的先進制造工藝技術,提供全系列搭配方案供客戶選擇。
由于MAX810L的復位門檻電平為4.65V,因此其RESET端輸出為
高電平,迫使Q1關斷,從而使負載與輸入電源斷開。MAX668通過外部反饋電阻網絡設定5V輸出電壓。當輸出電壓超MAX810L的復位門檻電平時,其內部單穩電路開始工作并延時約240ms。之后,MAX810L的輸出變低,使Q1導通。Q1導通之后,MAX810L一直監測輸出電壓以確定輸出是否過流。過載將會導致輸出電壓下降,當它低于MAX810L門檻電平時,MAX810L的輸出經過20μs的延遲后由高變低
,從而關斷Q1并使負載斷開。由于MAX668的升壓作用,MAX810電源端電壓又會高于其門檻電平,240ms的復位延遲時間后,MAX810L輸出再次由高變低,開通Q1并自動再次連通負載。上述過程會一直周期性重復下去,除非移去多余負載或將MAX668關閉使其停止工作。因此MAX810L和開關Q1一起構成了一個固態開關(電子保險絲)。保險絲保險絲MAX810L(功耗器件)具有非平衡推挽輸出級。當對外
輸出電流時,它等效于一個6kΩ電阻;當從外汲取電流時,它等效于一個125Ω的電阻。當導通或關斷Q1時,由于MAX810L的電阻阻止了Q1的密勒電容和柵源電容快速充放電,因此使開關瞬態過程得以減慢。假定Q1總的等效電容為5000pF時,則MAX810汲取電流時(等效于125Ω電阻)大電流三極管的RC電路的時間常數約為0.6μs。整個導通過程電壓瞬態響應時間大約為10RC=6μs。完全關斷同樣開關Q1
的時間大約是完全導通時間的48倍。當外部負載或C2在啟動瞬間要汲取較大電流時,快速導通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復位門檻電壓從而導致復位出現,因此在圖2基礎上再增加一RC網絡以減緩其開通過程,合適地選擇R、C可使負載連接過程延續到幾個MAX668開關工作周期,使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復位門檻電壓。假如R、C使Q1的導通時間延長,同時也延長了關斷時間。因此需要在電阻上
并聯一肖特基二極管,以加速當負載過載時關閉Q1的進程。為了獲得增強型通道及較低的導通電阻,上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET,如果Q1的導通電阻值較大且在其兩端產生較大的壓降(特別是低輸出電壓應用場合或負載離電源的距離較遠時),則應該從Q1漏極端反饋電壓調節輸出。設計電路時,必須小化寄生參數同時仔細考慮電路布局。利用一個SOT23封裝的低電壓模擬開關(MAX4544)可實現上述遠
端調節,該開關受控于MAX810L的輸出,
高電平,迫使Q1關斷,從而使負載與輸入電源斷開。MAX668通過外部反饋電阻網絡設定5V輸出電壓。當輸出電壓超MAX810L的復位門檻電平時,其內部單穩電路開始工作并延時約240ms。之后,MAX810L的輸出變低,使Q1導通。Q1導通之后,MAX810L一直監測輸出電壓以確定輸出是否過流。過載將會導致輸出電壓下降,當它低于MAX810L門檻電平時,MAX810L的輸出經過20μs的延遲后由高變低
,從而關斷Q1并使負載斷開。由于MAX668的升壓作用,MAX810電源端電壓又會高于其門檻電平,240ms的復位延遲時間后,MAX810L輸出再次由高變低,開通Q1并自動再次連通負載。上述過程會一直周期性重復下去,除非移去多余負載或將MAX668關閉使其停止工作。因此MAX810L和開關Q1一起構成了一個固態開關(電子保險絲)。保險絲保險絲MAX810L(功耗器件)具有非平衡推挽輸出級。當對外
輸出電流時,它等效于一個6kΩ電阻;當從外汲取電流時,它等效于一個125Ω的電阻。當導通或關斷Q1時,由于MAX810L的電阻阻止了Q1的密勒電容和柵源電容快速充放電,因此使開關瞬態過程得以減慢。假定Q1總的等效電容為5000pF時,則MAX810汲取電流時(等效于125Ω電阻)大電流三極管的RC電路的時間常數約為0.6μs。整個導通過程電壓瞬態響應時間大約為10RC=6μs。完全關斷同樣開關Q1
的時間大約是完全導通時間的48倍。當外部負載或C2在啟動瞬間要汲取較大電流時,快速導通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復位門檻電壓從而導致復位出現,因此在圖2基礎上再增加一RC網絡以減緩其開通過程,合適地選擇R、C可使負載連接過程延續到幾個MAX668開關工作周期,使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復位門檻電壓。假如R、C使Q1的導通時間延長,同時也延長了關斷時間。因此需要在電阻上
并聯一肖特基二極管,以加速當負載過載時關閉Q1的進程。為了獲得增強型通道及較低的導通電阻,上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET,如果Q1的導通電阻值較大且在其兩端產生較大的壓降(特別是低輸出電壓應用場合或負載離電源的距離較遠時),則應該從Q1漏極端反饋電壓調節輸出。設計電路時,必須小化寄生參數同時仔細考慮電路布局。利用一個SOT23封裝的低電壓模擬開關(MAX4544)可實現上述遠
端調節,該開關受控于MAX810L的輸出,