內(nèi)蒙古滅磁過(guò)電壓測(cè)試儀主運(yùn)行界面中單擊“過(guò)電壓”，進(jìn)入過(guò)電壓試驗(yàn)界面。界面上方從左至右依次有高壓電阻投切選擇，用于過(guò)電壓試驗(yàn)時(shí)配置輸出電流，此選項(xiàng)為復(fù)選框：可以選任意一個(gè)，或兩個(gè)，或全不選。超漏報(bào)警限值有300 mA、450 mA和600 mA三個(gè)檔位，此為單選，默認(rèn)300 mA。上方中間部分為電壓、電流、畸變、頻率實(shí)測(cè)值顯示，右側(cè)為運(yùn)行狀態(tài)按鈕，測(cè)試啟動(dòng)時(shí)，運(yùn)行狀態(tài)綠燈亮起。界面正中為波形顯示區(qū)，顯示電壓的實(shí)時(shí)波形。界面左側(cè)有四個(gè)功能按鈕，分別是設(shè)置，耐壓測(cè)試，保存和返回。其中設(shè)置按鈕，將把測(cè)試類型選取、漏電流限值和定時(shí)值下發(fā)至執(zhí)行機(jī)構(gòu)【每次按下面板啟動(dòng)按鈕之前，請(qǐng)點(diǎn)擊設(shè)置命令，以便使測(cè)試條件生效】?！澳蛪簻y(cè)試”用于切換到電壓試驗(yàn)。保存按鈕用于測(cè)試過(guò)程中，抓取當(dāng)前屏幕上的參數(shù)值和波形，默認(rèn)保存路徑為USB口上的隨機(jī)附贈(zèng)U盤（自行準(zhǔn)備的U盤容量不應(yīng)高于8GB）。若保存過(guò)程中USB口沒(méi)有U盤，則圖形文件自動(dòng)保存在機(jī)器系統(tǒng)的路徑NandFlash下。界面如下所示：圖五、過(guò)電壓試驗(yàn)界面當(dāng)圖形保存過(guò)程中未插U盤，事后想復(fù)制該圖形文件步驟如下：只需把U盤插入測(cè)試裝置面板的USB接口，在主界面上雙擊界面空白區(qū)域6次，退出測(cè)試程序。在桌面左上角的“我的設(shè)備”圖標(biāo)上雙擊鼠標(biāo)左鍵，并進(jìn)入NandFlash盤符(此時(shí)若U盤已經(jīng)插入U(xiǎn)SB接口，在NandFlash同級(jí)目錄下會(huì)出現(xiàn)“硬盤”盤符)。選中NandFlash下待剪切的文件，點(diǎn)“編輯”菜單欄中的剪切命令，回到我的設(shè)備目錄下的“硬盤”目錄下，點(diǎn)擊“編輯“菜單欄中的粘帖命令，即可以把數(shù)據(jù)文件保存到U盤。保存完畢后，若需要重新運(yùn)行測(cè)試程序可以雙擊“我的設(shè)備”—“NandFlash”—“N”或“G”文件即可。(若復(fù)制剪切過(guò)程中發(fā)現(xiàn)不能找到“硬盤”盤符，請(qǐng)插拔U盤多試幾次)。