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據(jù)悉,三星是自去年供貨10nm級(jí)(1x?)服務(wù)器DRAM給亞馬遜,而DRAM出問(wèn)題的部分可能在于調(diào)整電壓的柵氧化層(gate oxide),嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成資料損壞,亞馬遜要求,并聯(lián)系其它供應(yīng)商以取代三星有質(zhì)量問(wèn)題的DRAM。對(duì)于DRAM遭退貨的消息,三星基于客戶保密原則,拒絕評(píng)論此事。

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三星在3月下旬已宣布首次開(kāi)發(fā)出第三代10nm級(jí)(1znm)8Gb雙倍數(shù)據(jù)速率的DDR4。新的1znm DDR4相較于1ynm生產(chǎn)率可提高20%以上,并計(jì)劃在下半年開(kāi)始量產(chǎn)1znm 8Gb DDR4,2020年供貨企業(yè)服務(wù)器和高端PC應(yīng)用的DRAM。

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