產(chǎn)品細節(jié)圖

結果表明，屏蔽罩電位與真空度具有一定的對應關系，并可以通過真空斷路器外電場電位的測量來反應；真空斷路器外電場電位在壓強小于10-2 Pa 時的變化十分弱，而在大于10-2
Pa 時電位有較明顯的變化。并通過實驗室模擬測量實驗，進一步驗證了該結果的正確性。本文的分析結果給出了真空斷路器外電場電位隨真空度變化的規(guī)律，對基于屏蔽罩電位法在線測量真空斷路器真空度具有一定的指導意義。  真空斷路器是一種借助真空的良好熄弧性能來實現(xiàn)大電流開斷的開關裝置。與傳統(tǒng)的空氣開關、油開關相比，真空斷路器有開斷可靠、故障率低、維護量少、結構緊湊等優(yōu)點，這使它逐漸在輸配電系統(tǒng)中，特別
是在中壓領域得到了廣泛的運用。  作為一種以真空為熄弧環(huán)境的開關，真空斷路器內真空度的高低是其重要的一個參數(shù)。然而，由于內部組件放氣、密封口漏氣以及密封組件滲氣的存在，運行中的真空斷路器內部真空度會隨著工作時間的推移而下降。當真空度下降到一定程度時，其開斷性能就會得不到保證，這不僅會造成本身設備的損壞，還可能引起整個電網(wǎng)的故障。因此，對真空斷路器真空度的檢測顯得很有必要。真空斷路器真空度的
檢測方法分為離線檢測與在線檢測。在線檢測憑借其操作簡單，工作量少，實時性好等優(yōu)點受到了人們的青睞。  目前常用的在線檢測方法有耦合電容法、光電變換法、旋轉式探頭法、比例差分探頭法和電磁波檢測法，其中耦合電容法、光電變換法和旋轉式探頭法均是基于屏蔽罩電位的真空度在線檢測方法，所以對真空斷路器屏蔽罩電位的研究成為了真空斷路器真空度檢測研究中的一個熱點。文獻通過搭建實驗系統(tǒng)對不同壓強下的屏蔽罩電
位進行了測量，得出了滅弧室內部壓強大于0.1 Pa 時與屏蔽罩上交直流電位的對應關系。文獻通過物理數(shù)學模型建立了真空滅弧室內氣體壓強與相對介電常數(shù)間的關系，對滅弧室真空度和相對介電常數(shù)的關系進行了研究，得出了兩者之間的對應關系，真空技術網(wǎng)認為這為進一步分析真空滅弧室真空度和屏蔽罩電位聯(lián)系機理提供了新思路。  為了進一步探索高真空度下，滅弧室真空度與屏蔽罩電位及周圍電場間的關系，本文借助于有
限元分析軟件ANSYS對不同壓強下的真空斷路器滅弧室屏蔽罩及其周圍電場進行仿真分析

公司實力

對采集數(shù)據(jù)進行形態(tài)學操作，得到內部高能等離子體及電弧外部輪廓的時間-
面積變化曲線。從引弧、穩(wěn)定燃弧、熄弧及弧后介質恢復四個角度，對不同階段的電弧面積變化做出定量分析，并探究電弧熄弧階段電弧內外面積差變化。實驗表明，通過分析不同階段的等離子體形態(tài)變化，能夠找到電弧平穩(wěn)燃弧及弧后介質恢復的關鍵點，為高壓等級真空斷路器研發(fā)設計及后期電弧形態(tài)診斷提供進一步參考。  隨著我國電力系統(tǒng)的不斷發(fā)展，真空斷路器的生產(chǎn)數(shù)量逐漸超過中壓SF6開關。由于其體積小、開斷壽命長和電
流容量大等優(yōu)點，真空斷路器的應用范圍越來越多向高壓、超高壓擴展。真空電弧是斷路器觸頭斷開時，依靠蒸發(fā)金屬蒸氣并電離來維持的低溫等離子體，其形成、發(fā)展和后熄滅對開斷電路有著重要影響。研究真空電弧等離子體的形態(tài)特征，對斷路器電場、磁場設計有很好的指導作用。 通過對高速攝像機采集到一組真空電弧分析，t= 0.2～6.8 ms 為引弧和穩(wěn)定燃弧階段，此階段電弧形態(tài)主要為陰極斑點形成和電弧等離子體充滿真?zhèn)€觸頭間隙，因此時兩極不斷向間隙補充電子及高能粒子，故此時雖電弧整體輪廓不斷增大，但擴散現(xiàn)象并不明顯。為更加清晰地展示內外電弧幾何形態(tài)區(qū)別，本文主要對熄滅階段及弧后介質恢復階段的電弧形態(tài)做出
后期處理，對穩(wěn)定燃弧階段的內部高能等離子體形態(tài)未做出細節(jié)分析。t=6.9ms 開始為真空熄弧階段，內外面積差開始激增，內部高能等離子體面積逐漸減小，電弧外部輪廓在縱向磁場作用下維持擴散狀態(tài)，其電弧原始圖像與內部高能等離子體分布二值圖像如圖6。圖中可看出內部高能電弧即將從兩極分斷開來，外部電弧輪廓基本維持在穩(wěn)定擴散狀態(tài)。  t = 7.5 ms 以后熄弧階段開始向弧后介質恢復階段過渡，內部等
離子面積分布迅速減小，外部電弧輪廓也出現(xiàn)縮小現(xiàn)象，