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因此，該種保
險絲對環境溫度的變化比較敏感。例如一個電流額定值為10A的保險絲通常不在25℃環境溫度下在大于7.5A的電流下運行。VICFUSE汽車保險絲VICFUSE汽車保險絲2．電壓額定值保險絲的電壓額定值必須等于或大于有效的電路電壓。一般標準電壓額定值系列為32V、125V、250V、600V。3．電阻保險絲的電阻在整個電路中并不重要。由于安培數小于1的保險絲電阻只有幾個歐姆，所以在低壓電路中采用保險
絲時應考慮這個問題。大部分的保險絲是用溫度系數為正的材料制造的，因此，就有冷電阻和熱電阻之分。4．環境溫度保險絲的電流承載能力，其實驗是在25℃環境溫度條件下進行的，這種實驗受環境溫度變化的影響。環境溫度越高，保險絲的工作溫度就越高，其壽命也就越短。相反，在較低的溫度下運行會延長保險絲的壽命。5．熔斷額定容量也稱為致斷容量。熔斷額定容量是保險絲在額定電壓下能夠確實熔斷的大許可電流。短路時，保險絲
中會多次通過比正常工作電流大的瞬時過載電流。運行要求保險絲保持完整的狀態(無裂或斷裂)并短路。智能對于大多數采用電感的非同步整流升壓型開關變換器，其輸入和輸出之間都存在一條直流通路，如圖1所示。該通路的存在會造成兩種不良后果：其一，一旦輸出短路或嚴重過載時間超出幾百毫秒將導致二極管（通常為肖特基二極管）過熱損壞；其二，當由于某種原因，比如人為關閉，使開關振蕩電路停止工作，負載端仍然有電壓存在，
只是比輸入端低一個二極管的管壓降而已，這時輸出仍會消耗能量。除此之外，如果該殘存電壓低于負載穩態工作電壓范圍，將使電路處于不確定狀態。對于輸出電流相對較小的應用場合（小于5A），利用單片電流模式控制器和高端電流取樣技術，上述兩個問題都可以很好地解決。在這些電路中，二極管被一同步整流開關三極管取代，因此通過關閉內部開關三極管就可把輸入輸出通路截斷，這樣一來，負載端對輸入端來說就呈高阻狀態，而這正是所
希望的結果。在正常工作狀態，電路內部的高端取樣電阻對負載電流周期性地進行采樣，因此避免了因過流導致災難性后果出現。因此，內部過熱保護電路為變換器提供了工作區（SAO）。其中MAX668是一個開關控制器，由它完成升壓功能。電流反饋型升壓控制器（MAX668）驅動低端邏輯電平N溝道增強型MOSFET，該開關管通過低端電流取樣電阻到地。高端開關是一肖特基二極管，選擇它主要是它具有低的正向導通壓降。由
圖可見，升壓變換器的拓撲基本結構未被破壞。本應用中，MAX668把3.3V電壓變為5V，負載電流可達3A。貼片保險絲VICFUSE貼片保險絲VICFUSE其中P溝道增強型MOSFET——Q1是實現負載斷路的關鍵元件。當MAX668在關閉模式時，二極管D1仍然導通，使得MAX810L的電源端的電壓為3.3V減去二極管D1的管壓降。

由于MAX810L的復位門檻電平為4.65V，因此其RESET端輸出為
高電平，迫使Q1關斷，從而使負載與輸入電源斷開。MAX668通過外部反饋電阻網絡設定5V輸出電壓。當輸出電壓超MAX810L的復位門檻電平時，其內部單穩電路開始工作并延時約240ms。之后，MAX810L的輸出變低，使Q1導通。Q1導通之后，MAX810L一直監測輸出電壓以確定輸出是否過流。過載將會導致輸出電壓下降，當它低于MAX810L門檻電平時，MAX810L的輸出經過20μs的延遲后由高變低
，從而關斷Q1并使負載斷開。由于MAX668的升壓作用，MAX810電源端電壓又會高于其門檻電平，240ms的復位延遲時間后，MAX810L輸出再次由高變低，開通Q1并自動再次連通負載。上述過程會一直周期性重復下去，除非移去多余負載或將MAX668關閉使其停止工作。因此MAX810L和開關Q1一起構成了一個固態開關（電子保險絲）。保險絲保險絲MAX810L（功耗器件）具有非平衡推挽輸出級。當對外
輸出電流時，它等效于一個6kΩ電阻；當從外汲取電流時，它等效于一個125Ω的電阻。當導通或關斷Q1時，由于MAX810L的電阻阻止了Q1的密勒電容和柵源電容快速充放電，因此使開關瞬態過程得以減慢。假定Q1總的等效電容為5000pF時，則MAX810汲取電流時（等效于125Ω電阻）大電流三極管的RC電路的時間常數約為0.6μs。整個導通過程電壓瞬態響應時間大約為10RC=6μs。完全關斷同樣開關Q1
的時間大約是完全導通時間的48倍。當外部負載或C2在啟動瞬間要汲取較大電流時，快速導通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復位門檻電壓從而導致復位出現，因此在圖2基礎上再增加一RC網絡以減緩其開通過程，合適地選擇R、C可使負載連接過程延續到幾個MAX668開關工作周期，使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復位門檻電壓。假如R、C使Q1的導通時間延長，同時也延長了關斷時間。因此需要在電阻上
并聯一肖特基二極管，以加速當負載過載時關閉Q1的進程。為了獲得增強型通道及較低的導通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET，如果Q1的導通電阻值較大且在其兩端產生較大的壓降（特別是低輸出電壓應用場合或負載離電源的距離較遠時），則應該從Q1漏極端反饋電壓調節輸出。設計電路時，必須小化寄生參數同時仔細考慮電路布局。利用一個SOT23封裝的低電壓模擬開關（MAX4544）可實現上述遠
端調節，該開關受控于MAX810L的輸出，

熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金，其熔點低容易熔斷，由于其電阻率較大，故制成熔體的截面尺寸較大，熔斷時產生的金屬蒸氣較多，只適用于低分斷能力的熔斷器。高熔點材料如銅、銀，其熔點高，不容易熔
斷，但由于其電阻率較低，可制成比低熔點熔體較小的截面尺寸，熔斷時產生的金屬蒸氣少，適用于高分斷能力的熔斷器。熔體的形狀分為絲狀和帶狀兩種。改變變截面的形狀可顯著改變熔斷器的熔斷特性。熔斷器有各種不同的熔斷特性曲線，可以適用于不同類型保護對象的需要。安秒特性：熔斷器的動作是靠熔體的熔斷來實現的，熔斷器有個非常明顯的特性，就是安秒特性。對熔體來說，其動作電流和動作時間特性即熔斷器的安秒特性，也叫反時延
特性，即：過載電流小時，熔斷時間長；過載電流大時，熔斷熔斷器（圖6）熔斷器（圖6）時間短。對安秒特性的理解，我們從焦耳定律上可以看到Q=I2*R*T，串聯回路里，熔斷器的R值基本不變，發熱量與電流I的平方成正比，與發熱時間T成正比，也就是說：當電流較大時，熔體熔斷所需的時間就較短。而電流較小時，熔體熔斷所需用的時間就較長，甚至如果熱量積累的速度小于熱擴散的速度，熔斷器溫度就不會上升到熔點，熔斷器甚
至不會熔斷。所以，在一定過載電流范圍內，當電流恢復正常時，熔斷器不會熔斷，可繼續使用。因此，每一熔體都有一小熔化電流。相應于不同的溫度，小熔化電流也不同。雖然該電流受外界環境的影響，但在實際應用中可以不加考慮。一般定義熔體的小熔斷電流與熔體的額定電流之比為小熔化系數，常用熔體的熔化系數大于1.25，也就是說額定電流為10A的熔體在電流12.5A以下時不會熔斷。從這里可以看出，熔斷器的短路保
護性能，過載保護性能一般。如確需在過載保護中使用，需要仔細匹配線路過載電流與熔斷器的額定電流。例如：8A的熔體用于10A的電路中，作短路保護兼作過載保護用，但此時的過載保護特性并不理想。