廢氣處理成套設備主要是運用不同工藝技術，通過回收或去除減少排放尾氣的有害成分，達到保護環(huán)境、凈化空氣的一種環(huán)保設備，讓我們的環(huán)境不受到污染。吸收法采用低揮發(fā)或不揮發(fā)性溶劑對VOCs進行吸收，再利用VOCs和吸收劑物理性質的差異進行分離。 含VOCs的氣體自吸收塔底部進入塔內，在上升過程中與來自塔頂的吸收劑逆流接觸，凈化后的氣體由塔頂排出。 廢氣處理成套設備 吸收了VOCs的吸收劑通過熱交換器后，進入汽提塔頂部，在溫度高于吸收溫度或壓力低于吸收壓力的條件下解吸。解吸后的吸收劑經過溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經過冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化，其他情況下需要作相應的工藝調整。 在用多孔性固體物質處理流體混合物時，流體中的某一組分或某些組分可被吸表面并濃集其上，此現象稱為吸附。吸附處理廢氣時，吸附的對象是氣態(tài)污染物，氣固吸附。被吸附的氣體組分稱為吸附質，多孔固體物質稱為吸附劑。固體表面吸附了吸附質后，一部被吸附的吸附質可從吸附劑表面脫離，此現附。 當吸附進行一段時間后，由于表面吸附質的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求，此時需要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質脫附，以協的吸附能力，這個過程稱為吸附劑的再生。因此在實際吸附工程中，正是利用吸附一再生一再吸附的循環(huán)過程，達到除去廢氣中污染物質并回收廢氣中有用組分。

OC廢氣處理設備從理論上講，只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優(yōu)點，具體研究中可根據需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。